VL-1000 の温度管理 (2)

　前にMOS FETの温度管理について書きました。
VL-1000の温度管理: 杓子定規 (cocolog-nifty.com)
ファイナルのMOSFETに取り付けたサーモスイッチが90度でONしてPOWERを下げる動作に入るのを確認。

1998年6月のCQ誌にVL-1000の設計開発者に聞いたとの記事があり温度に関する記載がありました。

それによるとMOSFETのジャンクション温度（接合部温度）の情報。　MOSFET半導体の接合部が破壊される温度は200度のようです。
VL-1000のMOSFETは8個使用、1本で150Wを出力、効率50%とすると150Wの熱を放熱しなければならない、
FETのジャンクションとフランジ間で0.6℃/W×150W=90℃の温度差が出る。
200℃-90℃=110℃　従って110℃以下にMOSFETのフランジ温度を保てば計算上は破壊温度の200℃にはならない。

つまり110℃-90℃＝20℃の余裕をもって設計されているようです、
VL-1000から温度異常のサインが出るまでは　MOSFETは持ちこたえると考える。